Компания NEO Semiconductor успешно протестировала память 3D X-DRAM для искусственного
Компания NEO Semiconductor объявила, что ее технология 3D X-DRAM успешно прошла проверку концепции. Данное событие доказывает возможность производства нового класса памяти DRAM высокой плотности с использованием существующей инфраструктуры 3D NAND. Одновременно компания сообщила о новых...
|