Ученые нашли способ значительно увеличить плотность памяти с помощью нового типа мате
 

В свежем выпуске журнала Nature Communications опубликовано исследование, которое может кардинально изменить подход к производству запоминающих устройств. Группа физиков продемонстрировала потенциал диоксида рутения (RuO) в качестве основы для создания памяти следующего поколения. Использование уникальных свойств...