Аналитики назвали планы китайской CXMT обогнать Samsung и SK hynix по DDR5 "бумажным
 

Китайский производитель памяти CXMT заявил о намерении опередить Samsung, SK hynix и Micron благодаря новой архитектуре DRAM с плотностью размещения ячеек 4F. Однако аналитики Rosenblatt считают эти амбиции скорее громким заявлением, чем реальной угрозой лидерам...