Компания NEO Semiconductor успешно протестировала память 3D X-DRAM для искусственного
Компания NEO Semiconductor объявила, что ее технология 3D X-DRAM успешно прошла проверку концепции. Данное событие доказывает возможность производства нового класса памяти DRAM высокой плотности с использованием существующей инфраструктуры 3D NAND. Одновременно компания сообщила о новых...
|
| Текущее время: 21:34. Часовой пояс GMT +5. |
Powered by vBulletin® Version 3.8.12 by vBS
Copyright ©2000 - 2026, vBulletin Solutions, Inc. Перевод: zCarot